На главную
ПОМОЩЬ СТУДЕНТАМ!!!
Готовые решения задач по теормеху из методичек Тарга С.М. 1988 и 1989 г. и старых методичек 1978, 1982 и 1983гг.. Решение любых задач по термеху на заказ.
Если Вам нужны решения задач по Физике из методички Чертова А.Г. для заочников или решение задач из задачников Прокофьева, Чертова, Воробьёва и Волькинштейна или любых других решений по физике или гидравлике, воспользуйтесь сайтом fiziks.ru

Статья по теме: Рассеяние электронов

Область знаний: теплообменники, печи, теплоперенос, паровые котлы, нагревание, горение, топлива, теплообмен

Скачать полный текст

При очень низких температурах, когда рассеяние электронов происходит в основном на дефектах решетки, теплопроводность становится пропорциональной температуре и отношение к/аТ действительно равно LQ. Если предположить, что электронные тепловые сопротивления аддитивны (тепловой аналог правила Маттисена), то для нахождения идеального теплового сопротивления при низких температурах из измеряемого сопротивления нужно вычесть величину po/LoT, чтобы исключить вклад дефектов решетки. Если тепло- и электропроводности измеряются не на одном и том же образце, но с использованием тех же контактов, то несовпадение точных размеров образца в этих двух экспериментах может сделать такой метод несколько неточным, особенно при температурах,[352, С.219]

При относительно высоких температурах (выше 0D) рассеяние электронов полностью зависит от их взаимодействия с ионами решетки, энергия которых пропорциональна температуре; соответственно р линейно зависит от температуры. Влияние примесей и дефектов решетки, все более усиливающееся при понижении температуры, приводит к тому, что ниже температуры Дебая (Т<<0,1 BD) электросопротивление следует рассматривать как состоящее из двух составляющих[282, С.187]

При прохождении бета-излучения через вещество происходит упругое рассеяние электронов (или позитронов) на атомных ядрах и электронных оболочках, а также неупругие столкновения с атомными ядрами.[163, С.8]

Посторонние атомы или ионы, внедренные в кристаллическую решетку, искажают силовое поле решетки и вызывают дополнительное рассеяние электронов. Вследствие этого теплопроводность сплавов должна быть меньше, чем теплопроводность каждого из исходных компонентов.[135, С.6]

Уменьшение электрон-фононного взаимодействия трудно обнаружить в явлениях электронного переноса. В чистых металлах фононы с малыми q, для которых qle •< 1, не дают заметного вклада в рассеяние электронов, а если увеличивать пределы значений q за счет уменьшения средней длины свободного пробега, вводя в металл примеси, то рассеяние электронов будет происходить в основном на этих примесях. С другой стороны, даже в металлах с очень большим содержанием примесей только при не слишком низких температурах решеточная теплопроводность в основном определяется рассеянием на электронах. В таком случае изменение электрон-фононного взаимодействия при уменьшении или увеличении содержания примесей приводит к изменению решеточной теплопроводности, даже если эта теплопроводность целиком определяется рассеянием на электронах.[352, С.208]

Сложнее обстоит дело с учетом рассеяния электронов в подложке источника. Излучение от источника препарата распространяется во все стороны. Лоловина его направлена в сторону подложки, в которой, как и во всяком материале, электроны рассеиваются и далее могут частично вернуться к препарату. Это явление, известное как обратное рассеяние электронов, учитывается коэффициентом обратного рассеяния, численно равным отношению числа регистрируемых импульсов при источнике с подложкой к числу импульсов, вызванных источником при отсутствии подложки [Л. 94].[163, С.111]

Даже при таком довольно грубом объяснении электро- и теплопроводности электронов имеется одно существенное отличие от случая фононов. Для чистых неметаллов всегда предполагалось, что теплопроводность при нормальных температурах главным образом определяется рассеянием фононов друг на друге (это также вытекает из соответствующей теории) . В металлах обычно считается, что рассеяние электронов на электронах несущественно (это действительно так, см. п. 2 § 3 гл. 11). Только при низких температурах имеется некоторое сходство между процессами рассеяния, когда и фононная, и электронная теплопроводности определяются в некотором смысле «дефектами» решетки. Но и при этом имеется различие: для достаточно чистых образцов фононная теплопроводность в неметаллах при низких температурах[352, С.173]

Исследование теплопроводности металлов и сплавов представляет значительный интерес в связи с широким использованием их на практике. Во многих случаях, зная электропроводность, можно найти величину теплопроводности с помощью закона Видемана — Франца — Лоренца. Однако идеальное тепловое сопротивление очень чистых металлов в основном обусловлено рассеянием электронов на фононах, и в области промежуточных температур, как это обсуждалось в § 1 гл. 11, закон ВФЛ для них перестает быть справедливым. Теплопроводность на самом деле оказывается меньшей, чем это следует из закона ВФЛ. В сплавах, с другой стороны, рассеяние электронов на примесях может быть столь велико, что электронная компонента теплопроводности достаточно ослабляется и становится существенной решеточная компонента. Поскольку в электропроводности такая компонента отсутствует, в случае сплавов закон ВФЛ дает заниженное значение теплопроводности.[352, С.213]

Для одновалентных металлов отношение к/аТ растет с увеличением температуры; при комнатной температуре или вблизи 100°С оно близко к идеальному значению LO, однако о его поведении при более высоких температурах трудно говорить, так как с увеличением температуры производить измерение теплопроводности становится все труднее и труднее. Кук и др. установили, что выше ~160К теплопроводность натрия убывает, но это отражает тот факт, что электрическое сопротивление растет быстрее, чем температура, и отношение и/аТ продолжает увеличиваться вплоть до точки плавления. Это непостоянство и (или отклонение р от пропорциональности температуре) можно объяснить зависимостью постоянной электрон-фононного взаимодействия (а значит, и постоянной А) и эффективного значения 0 от объема и температуры. При приближении к точке плавления концентрация дефектов решетки, как можно ожидать, резко возрастет, и это вызовет дополнительное рассеяние электронов.[352, С.219]

В первом приближении можно считать, что электронная теплопроводность и электропроводность определяются рядом процессов рассеяния, каждый из которых обусловливает соответствующее сопротивление. Согласно правилу Маттисена [160], эти сопротивления аддитивны. При этом всегда имеется «идеальное» сопротивление, обусловленное рассеянием электронов на решетке.[352, С.190]

зия, в ТЭП этого типа практически отсутствуют рассеяние электронов на атомах и объемная ионизация. Поверхностная ионизация не приводит к компенсации пространственного заряда, так как на расстояниях, меньших радиуса Дебая, условие квазинейтральности не выполняется. Вследствие этого распределение потенциала в МЭЗ подобно тому, которое реализуется в вакуумном режиме, но при более низкой работе выхода эмиттера из-за адсорбции на нем цезия; кроме того, вследствие малости МЭЗ пространственный заряд также невелик. Этот режим характеризуется достаточно высокой плотностью мощности и КПД при умеренной температуре эмиттера, требует высокого технологического уровня и находится в стадии разработки.[180, С.521]

Полный текст статьи здесь

Задачи по теоретической механике из сборника курсовых работ под редакцией А.А. Яблонского, Тарга, Кепе, Диевского, Мещерского и любого другого на заказ. Быстро, качественно, все виды оплат, СМС-оплата.
Вы так же можете заказать решение задач и по другим предметам: химия, высшая математика, строймех, сопромат, электротехника, метрология, ДМ, ТММ и другие.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Перейти к перечню использованной литературы

На главную